英飞凌在80年代中期就开发出 NPT 非穿透型IGBT来取代PT穿透型，英飞凌的第一代，第二代都是平面栅NPT型IGBT，开关损耗低，耐冲击性好，适合工业应用，如马达驱动，UPS和其它电源设备。如1998年开发出的600V第二代NPT超薄型晶片，仅厚100um。采用这一芯片的模块是目前UPS行业的主流技术平台。

英飞凌推出的采用沟槽栅场终止技术第三代IGBT，即 IGBT3超薄型芯片，其首先在1200V和1700V 器件上实现, 近来又推出600V IGBT3。其导通损耗降低了30%，在保持了相近开关损耗的同时，其关断过程更软，为高效率、低电磁发射的UPS提供的功率平台。