市场需求旺盛MOSFET、IGBT等功率器件 2011年下半年有望改善

国家不断地在推进节能减排工程以及基础建设，新能源(风能，太阳能，电动汽车等)、马达驱动、变频家电、逆变焊机等应用对MOSFET、IGBT等功率器件需求大幅上升，2010年年初，经济逐渐复苏，各供应商措手不及，产能未能追上，因而出现 英飞凌(INFINEON)、飞兆（仙童FAIRCHILD）、三菱电机、士兰微电子、IR和瑞萨（Renesas）等主力品牌供不应求的情况。针对这种紧张局面，尽管很多半导体公司在扩建产能，但扩产效应释放缓慢，市场供应短缺情况不容乐观。

早在2010年的7月中旬，为了应对急速增加的功率器件的需求，日本三菱电机宣布投资65亿日元，扩张其晶圆生产能力，目标是比2009年度提升2.5倍，预计新设施会在2011年4月竣工。同时，三菱电机也投资了35亿日元，提高其组装和测试能力，以应付快速增长的功率器件市场。谷口丰聪表示，根据不同的功率器件种类，市场缓和的时间不同。“总体而言，将从2011年下半年开始，增产的效应会逐渐体现。”

iSuppli（全球领先的针对电子制造领域的市场研究公司）预计，功率器件供应短缺的状况至少将持续到2011年第一季度。相比之下，上游厂商的观点则更为谨慎。英飞凌科技(中国)有限公司工业及多元化电子市场事业部电源管理市场高级工程师胡凤平认为，功率器件供应紧张的情况将持续到2011年下半年才有望改善。