IGBT管、IGBT模块 技术参数符号术语说明（续一）
IGBT管、IGBT模块 电特性(Electrical characteristics)
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术语
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符号
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定义与说明
（条件请参照各种产品的说明书）
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集电极一发射机间断路电流
(Zero gate voltae collector current)
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ICES
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门极(下称G)一发射极（下称E）间处于短路的状态时，在集电极（下称C）一E间外加指定的电压时C-E间的漏电流
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门极一发射极间的漏电流
(Gate-emitter leakage current)
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IGES
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C-E间处于短路状态时，在G-E间外加指定的电压时G-E间的漏电流
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门极一发射极间的阀值电压
(Gate-emitter threshold voltage)
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VGE(th)
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处于指定C-E间的电流（下称集电极电流）和C-E间的电压（下称VCE）之间的G-E间的电压（下称VGE）（C-E间有微小电流开始流过时的VGE值用于作为衡量IGBT开始导通时的VGE值的尺度）
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集电极一发射极间的饱和电压
(Collector-emitter saturation voltage)
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VcE(sat)
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在指定的VGE下，额定集电极电流流过时的VGE值（通常，VGE=15V，计算损耗时重要值）
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静态特性
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输入电容
(Input capacitance)
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Cies
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C-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E间外加指定电压时G-E间的电容
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输出电容
(Output capacitance)
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Coes
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G-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E间外加指定电压时C-E间的电容
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反向传输电容
(Reverse transfer capacitance)
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Cres
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在E接地的情况下，G-E间外加指定电压时C-G间的电容
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二极管正向电压
(Forward on voltage)
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VF
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在内置二极管中流过指定的正方向电流（通常为额定电流）时的正方向电压（与VCE（SAT）相同，也是计算损耗时的重要值）
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动态特性
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开通时间
(Turn-on time)
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tOn
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IGBT开通时，VGE上到0V后，VCE下降到最大值的10%时为止的时间
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上升时间
(Raise time)
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tr
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IGBT开通时，从集电极电流上升到最大值的10%时开始，到VCE下降到最大值的10%为止的时间
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tr(i)
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IGBT开通时，从集电极电流上升到最大值的10%时开始，到达到90%为止的时间
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关断时间
(Turn-off time)
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toff
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IGBT关断时，从VGE下降到最大值的90%开始，到集电极电流在下降电流的切线上下降到10%为止的时间
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下降时间
(Fall time)
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tf
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IGBT关断时，集电极电流从最大值的90%开始，在下降电流的切线上下降到10%为止的时间
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反向恢复时间
(Reverse recovery time)
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trr
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到内置二极管中的反向恢复电流消失为止所需要的时间
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反向恢复电流
(Reverse recovery current)
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Irr(Irp)
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到内置二极管中正方向电流断路时反方向流动的电流的峰值
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逆向偏压安全操作区
(Reverse bias safe operation area)
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RBSOA
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关断时在指定的条件下，能够使IGBT断路的电流与电压的区域（一旦超出该区域，元件可能遭到破坏）
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门极电阻
(Gate-resistance)
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RG
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门极串联电阻值（标准值记载在交换时间测定条件中）
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门极充电电量
(Gate charge capacity)
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Qg
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为了使IGBT开通，G—E间充电的电荷量
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