英飞凌一单元1200V IGBT 模块列表

产品信息

英飞凌一单元1200V IGBT 模块列表

产品型号：
供应方式：
参考价格：面议
产品品牌： 英飞凌
产品Tag：IGBT 模块 1200V

产品简介：

以下1200V英飞凌IGBT模块我公司部分常务现货，欢迎来电洽淡！

1200V IGBT 模块(IGBT Modules up to 1200V)
型号	IC (max) 最大电流	VCE(sat) 饱和压降	Technology 工艺	Packages 封装
1.一单元
FD400R12KE3_B5	400.0 A	1.7 V	IGBT³	62 mm
FD300R12KS4_B5	300.0 A	1,200.0 V	IGBT² Fast	62 mm
FZ800R12KF4	800.0 A	2.7 V	IGBT² Standard	IHM 130 mm
FZ1050R12KF4	1,050.0 A	2.7 V	IGBT² Standard	IHM 130 mm
FZ1200R12KF4	1,200.0 A	2.7 V	IGBT² Standard	IHM 130 mm
FZ1600R12KF4	1,600.0 A	2.7 V	IGBT² Standard	IHM 130 mm
FZ1800R12KF4	1,800.0 A	2.7 V	IGBT² Standard	IHM 190 mm
FZ2400R12KF4	2,400.0 A	2.7 V	IGBT² Standard	IHM 190 mm
BSM200GA120DLC	200.0 A	2.1 V	IGBT² Low Loss	62 mm
BSM200GA120DLCS	200.0 A	2.1 V	IGBT² Low Loss	62 mm
BSM300GA120DLC	300.0 A	2.1 V	IGBT² Low Loss	62 mm
BSM300GA120DLCS	300.0 A	2.1 V	IGBT² Low Loss	62 mm
BSM400GA120DLC	400.0 A	2.1 V	IGBT² Low Loss	62 mm
BSM400GA120DLCS	400.0 A	2.1 V	IGBT² Low Loss	62 mm
BSM600GA120DLC	600.0 A	2.1 V	IGBT² Low Loss	62 mm
BSM600GA120DLCS	600.0 A	2.1 V	IGBT² Low Loss	62 mm
FZ800R12KL4C	800.0 A	2.1 V	IGBT² Low Loss	IHM 130 mm
FZ1200R12KL4C	1,200.0 A	2.1 V	IGBT² Low Loss	IHM 130 mm
FZ1600R12KL4C	1,600.0 A	2.1 V	IGBT² Low Loss	IHM 130 mm
FZ1800R12KL4C	1,800.0 A	2.1 V	IGBT² Low Loss	IHM 190 mm
FZ2400R12KL4C	2,400.0 A	2.1 V	IGBT² Low Loss	IHM 190 mm
FZ400R12KS4	400.0 A	3.2 V	IGBT² Fast	62 mm
FZ600R12KS4	600.0 A	3.2 V	IGBT² Fast	62 mm
FZ800R12KS4_B2	800.0 A	3.2 V	IGBT² Fast	IHM 130 mm
FZ300R12KE3G	300.0 A	1.7 V	IGBT³	62 mm
FZ300R12KE3B1G C-SERIE	300.0 A	1.7 V	IGBT³	62 mm
FZ400R12KE3	400.0 A	1.7 V	IGBT³	62 mm
FZ400R12KE3B1	400.0 A	1.7 V	IGBT³	62 mm
FZ600R12KE3	600.0 A	1.7 V	IGBT³	62 mm
FZ600R12KE3B1	600.0 A	1.7 V	IGBT³	62 mm
FZ800R12KE3	800.0 A	1.7 V	IGBT³	62 mm
FZ1200R12KE3	1,200.0 A	1.7 V	IGBT³	IHM 130 mm
FZ1600R12KE3	1,600.0 A	1.7 V	IGBT³	IHM 130 mm
FZ2400R12KE3	2,400.0 A	1.7 V	IGBT³	IHM 130 mm
FZ2400R12KE3_B9	2,400.0 A	1.7 V	IGBT³	IHM 190 mm
FZ3600R12KE3	3,600.0 A	1.7 V	IGBT³	IHM 190 mm
BSM200GA120DN2	200.0 A	2.5 V	IGBT² Standard	62 mm
BSM200GA120DN2C	200.0 A	2.5 V	IGBT² Standard	62 mm
BSM200GA120DN2S	200.0 A	2.5 V	IGBT² Standard	62 mm
BSM300GA120DN2	300.0 A	2.5 V	IGBT² Standard	62 mm
BSM300GA120DN2S	300.0 A	2.5 V	IGBT² Standard	62 mm
BSM400GA120DN2C	400.0 A	2.5 V	IGBT² Standard	62 mm
BSM400GA120DN2S	400.0 A	2.5 V	IGBT² Standard	62 mm

随着新型高效逆变器应用的市场日益增长，需要有一些专门优化的功率半导体出现。为此，英飞凌公司推出了新一代结合改进型射极控制二极管的1200V IGBT4系列产品，分别为针对低功率、中等功率和高功率IGBT模块提供了三款优化的芯片。这些IGBT模块是为满足各种不同应用所需的现代逆变器概念设计的。衡量新一代芯片开发是否成功的两个标准当然是看其能否达到较低的静态和动态损耗。但IGBT4技术还有另一个优点，它将芯片的最高允许工作温度提高了25℃，达到Tvjop=150℃。表1对比了新型IGBT4和其上一代IGBT3的电性能。这三款优化的芯片是：Inom=10-300A，具备快速开关性能，可用于低功率模块的IGBT4-T4；Inom=150-1000A具备较好的开关性能和导通特性，可用于中等功率模块的IGBT4-E4； Inom>900A，具备软化开关性能，可用于高功率模块的IGBT4-P4。本文主要介绍低功率和中功率版本的芯片。新一代1200V IGBT4功率半导体的最高工作温度可达Tvjop=150℃，而上一代IGBT3的工作温度最高只能到125℃。150℃的最高工作温度是由英飞凌在其第三代600V功率半导体中首次实现的。允许器件达到这一更高的工作温度，就有可能允许器件在同样的散热条件下通过全温操作达到更高的输出功率。

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