英飞凌2单元FF300R06KE3 IGBT模块

产品信息

英飞凌2单元FF300R06KE3 IGBT模块

产品型号：
供应方式：
参考价格：面议
产品品牌： 英飞凌
产品Tag：IGBT模块

产品简介：

英飞凌2单元FF300R06KE3 IGBT模块
型号：FF300R06KE3
电流：300A
电压：600V
单元：2
封装：62 mm
厂价直销，欢迎来电洽淡！

    FF300R06KE3 是英飞凌2单元、300A、600V的KE3系列IGBT模块。KE3系列IGBT具有低饱和压降的特点。西门子电力半导体器件广泛应用于发电、输配电、电气传动、牵引、电力系统，家用电器、新能源、汽车电子等电力电子设备中。
    IGBT（绝缘栅双极晶体管）是大规模功率集成半导体开关器件。IGBT采用MOS栅输入结构，开关主体是双极晶体管，它兼有MOSFET的高输入阻抗、电压控制特点，又具有双极晶体管低饱和压降的优势；其最显著特点是高速、高压、大电流。功率开关在功率变换电路里处于核心地位，IGBT是当代功率开关的主流器件。功率半导体器件一直是西门子/Infineon的核心产品，西门子在全球率先推出新型NPT-IGBT芯片，具有高可靠、低成本的最优性能价格比。西门子可提供电流从6A到3600A；电压从600V、1200V、1700V、2500V、3300V、到6500V全系列各种封装形式的IGBT模块。频率特性高频差好好续表应用多级放大器中间级,低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源
Infineon IGBT采用NPT-IGBT工艺，600V“HS”系列硬开关频率高达100KHz， 1200V“SKW”系列硬开关频率可达40KHz。
   Infineon第三代IGBT，采用沟槽栅+电场终止层（Fieldstop）技术，具有较低的饱和压降，低达1.50V 。Infineon IGBT温升低，有较大的血崩耐量。
FF300R06KE3技术文档

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