I_TRMs = 420 A (maximum value for continuous operation)

I_TAV=250 A (sin. 180; Tc = 85 ⁰C)

V_RSM

V

V_RRM’V_DRM

V

SKKT250/08E  SKKT250 08E

900

800

SKKT250/12E  SKKT250 12E

1300

1200

SKKT250/16E  SKKT250 16E

1700

1600

SKK

250/18E  SKKT250 18E

1900

1800

Symbol

Conditions

Values

Units

I_TAV

I_D

I_RMS

sin. 180; T_c = 85 (100) ⁰C;

P16/200F; T_a = 35 ⁰C; B21B6

P16/20OF; T_a= 35 ⁰C; W1 / W3

250(178)

450 / 585

566/3*471

A

A

A

I_TSM

I²_t

T_vj=25℃;10ms

T_vj=130℃;10ms

T_vj=25℃;8,3…10ms

T_vj=130℃;8,3…10ms

9000

8000

405000

320000

A

A

A²S

A²S

V_T

V_T(T0)

r_T

I_DD,I_RD

Tvj=25℃;IT=750A

Tvj=130℃

Tvj=130℃

Tvj=130 ℃; V_RD二V_RRM; V_DD二V_DRM

max. 1,4

max. 0.925

max. 0,45

max. 85

V

V

mΩ

mA

t_gd

t_gr

T_vj=25℃;I_G=1A;di_G/dt=1A/us

V_D=0,67*V_DRM

1

2

us

us

(di/dt)_cr

(dv/dt)_cr

t_q

I_H

I_L

T_vj=130℃

T_vj=130℃

T_vj=130℃

T_vj=25℃;typ./max.

T_vj=25℃;R_G=33Ω;typ./max

max. 250

max. 1000

50…150

150/500

300/2000

A/us

V/us

us

mA

mA

V_GT

I_GT

V_GD

I_GD

T_vj=25℃;d.c

T_vj=25℃;d.c

T_vj=130℃;d.c

T_vj=130℃;d.c

min.3

min.200

max.0.25

max.10

V

mA

V

mA

R_th(j-c)

R_th（j-c)

R_th（j-c)

R_th(c-s)

T_vj,

T_stg

cont.; per thyristor / per module

sin. 180; per thyristor / per module

rec. 120; per thyristor / per module

per thyristor / per module

0,14/0,07

0,15 / 0,075

0,165 / 0,083

0,04/0,02

-40…+130

-40…+130

k/W

k/W

k/W

k/W

℃

℃

V_isol

M_s

a

m

a. c. 50 Hz; r.m.s.; 1 s / 1 min

to heatsink

to terminals

approx

3600/3000

5 士15 %^{1 )}

9 士15 %

5*9,81

600

V~

Nm

Nm

m/s²

g

Case

SKKT

A 73b