产品信息
英飞凌第三代 G30T60 G50T60 G75T60 高速IGBT参数说明
产品简介:
英飞凌第三代 G30T60 G50T60 G75T60 IGW30N60T IGW50N60T
IGW75N60T 600V低饱和压降型IGBT优质高速单管 参数说明
品牌:英飞凌 INFINEON
型号:G30T60 G50T60 G75T60 IGW30N60T IGW50N60T IGW75N60T
第三代IGBT单管 特点:
◆TC=25℃ VCE(sat)=1.5V
◆最大工作结温Tjmax≤175℃
◆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管
◆采用沟槽栅+电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术
◆可靠性高,高温性能稳定,特性优异,具有最优的性价比
◆硬开关频率:fK≤20KHz
◆符合RoHS 标准
参数说明:
|
|
Package
|
VCE (max)
|
IC(max) @ 25°
|
IC(max) @ 100°
|
Switching Frequency
|
PDF
|
|
IGW30N60T
|
TO-247
|
600
|
60 A
|
30 A
|
20kHz
|
|
|
IGW50N60T
|
TO-247
|
600 V
|
100
|
50 A
|
20kHz
|
|
|
IGW75N60T
|
TO-247
|
600 V
|
150 A
|
75 A
|
20kHz
|
|
|
英飞凌全新的600V第三代高速IGBT单管系列经过优化,适用于硬开关和软开关拓扑。该系列树立了IGBT行业开关损耗新标杆,建议应用于开关频率在20kHz以上的拓扑。
极短的拖尾电流和低关断损耗(比最接近的竞争产品低25%)是这种新产品系列的主要特性。利用该系列的器件设计产品,最高可使能效提高15%。
该系列采用全球知名的TRENCHSTOP TM 技术,不仅具备很低的开关损耗,还拥有极低的通态损耗。 TRENCHSTOP TM 技术特点是本身具备极低的集电极-发射极饱和电压
|
|
|||||
销售热线:
最新评论共有 0 位网友发表了评论
查看所有评论
发表评论
热门产品

