英飞凌SGP07N120/ GP07N120 NPT技术 IGBT单管参数说明

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英飞凌SGP07N120/ GP07N120 NPT技术 IGBT单管 参数说明

直销电话：0755-26058625/ 26058626 手机：13802293598

英飞凌SGP07N120/ GP07N120 IGBT单管特点：

•比上一代低E_OFF
•短路承受时间：-10微秒
•NPT 技术：
     - 参数分布非常紧凑
     - 高耐用性，温度稳定的行为
     - 并行交换能力
•根据JEDEC1合格为目标
•无铅电镀引脚;符合RoHS标准

SGP07N120/ GP07N120主要应用：
- 电机控制
- 逆变器
- SMPS

英飞凌 IGBT单管参数说明：

Type	V_CE	I_C	E_off	T_j	Package	Marking
SGP07N120	1200V	8A	0.7mJ	150℃	PG-TO-220-3	GP07N120

SGP07N120/ GP07N120最大额定值：

Parameter	Symbol	Value	Unit
Collector-emitter voltage	V_CE	1200	V
DC collector current T_C= 25°C T_C= 100°C	I_C	16.5 7.9	A
Pulsed collector current, t_p limited by T_vjmax	I_{Cpul s}	27
Turn off safe operating area V_CE≤1200V, T_vj≤150°C	-	27
Gate-emitter voltage	V_GE	±20	V
Avalanche energy, single pulse I_C = 8A, V_CC= 50V, R_GE = 25Ω, start at T_j= 25℃	E_AS	40	mJ
Short circuit withstand time2 V_GE = 15V, 100V ≤ V_CC≤ 1200V, T_j≤150℃	t_sc	10	uS
Power dissipation T_C = 25°C	P_tot	-125	W
Operating junction and storage temperature	T_j,T_stg	-55...+150	°C
Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s	-	260	°C