产品信息
英飞凌G08T120 G15T120 G25T120 G40T120 G60T120 IGBT参数说明
产品简介：
英飞凌第三代 G08T120 G15T120 G25T120 G40T120 G60T120 1200V低饱和压降型 IGBT优质高速单管 参数说明
品牌：英飞凌 INFINEON
型号：G08T120 G15T120 G25T120 G40T120 G60T120
IGW08T120 IGW15T120 IGW25T120 IGW40T120 IGW60T120
第三代IGBT单管 特点：
◆TC=25℃ VCE(sat)=1.7V
◆正温被系数饱和压降易于并联，具有类MOSFET特性
◆内置反并联软、快恢复（Emcon）高效二极管
◆采用沟槽栅+电场终止层（Field stop）IGBT工艺技术
◆参数离散性小，便于批量生产
◆硬开关频率：fK≤20KHz，开关速度快，高频特性好
◆符合RoHS 标准
◆低饱和压降
◆拖尾电流小，且随温度增加不明显增加，高温特性优异
◆无锁定效应，过载能力强，可靠性高
参数说明：
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Package
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VCE (max)
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IC(max) @ 25°
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IC(max) @ 100°
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Switching Frequency
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PDF
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IGW08T120
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TO-247
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1200 V
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16 A
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8 A
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20kHz
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IGW15T120
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TO-247
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1200 V
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30 A
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15 A
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20kHz
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IGW25T120
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TO-247
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1200 V
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50 A
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25 A
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20kHz
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IGW40T120
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TO-247
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600 V
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75
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40 A
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20kHz
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IGW60T120
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TO-247
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600 V
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100 A
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60 A
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20kHz
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英飞凌全新的600V第三代高速IGBT单管系列经过优化，适用于硬开关和软开关拓扑。该系列树立了IGBT行业开关损耗新标杆，建议应用于开关频率在20kHz以上的拓扑。
极短的拖尾电流和低关断损耗（比最接近的竞争产品低25%）是这种新产品系列的主要特性。利用该系列的器件设计产品，最高可使能效提高15%。
该系列采用全球知名的TRENCHSTOP TM 技术，不仅具备很低的开关损耗，还拥有极低的通态损耗。 TRENCHSTOP TM 技术特点是本身具备极低的集电极-发射极饱和电压
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销售热线：
电话:0755-26058625 26058626 手机:13006693670 E-mail:fulitong98@163.com
电话:0755-26058625 26058626 手机:13802293598 E-mail:yyd_2100@126.com
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