供应英飞凌IHW30N160R2电磁炉专用,价格有优势！

产品信息

供应英飞凌IHW30N160R2电磁炉专用,价格有优势！

产品型号： IHW30N160R2
供应方式：
参考价格：面议
产品品牌： 英飞凌
产品Tag：英飞凌 电磁炉IGBT

产品简介：

供应英飞凌IHW30N160R2电磁炉专用,价格有优势！

型号:IHW30N160R2
厂家:INFINEON英飞凌
封装:TO-247

原厂支持,现货库存:18000片,诚信价低，欢迎来电咨询！



                                       正面(实体照片)

                                          背面(实体照片)

IHW30N160R2 pdf 文档

英飞凌第三代逆导通IGBT
State-of-the-art RC Generation for Induction Cooking
电磁炉应用的最新技术

Collector集电极
adjustable 植入可控性更好的后放射极 Performance性能
IHW30N160R2更低开关损耗
IHW30N160R2更高的开关强度
IHW30N160R2植入场中止层使基极区更薄
性能更低开关功耗
• 强度如NPT最新RC3 IGBT IHW30N160R2的优点:
零电压关断(ZVS)条件下最低的损耗
在同类器件中具有最低的温度
所有烹饪电器都是软开关拓扑结构烹饪电器主要分成三大类
电磁炉:单端IGBT拓扑
电饭煲:单端和半桥IGBT拓扑
微波炉:单个晶体管的拓扑应用于全世界的市场
英飞凌公司工业及家电功率器件高级经理马国伟博士介绍说，第三代逆向导通IGBT的特点主要体现在，导通损耗VCE(SAT)及开关损耗Eoff同时减小（RC3 对RC3）； VCE(SAT) 的减小能降低系统损耗的最重要部分；而开关损耗Eoff 可降低15%。目前，英飞凌在所有烹饪电器中都是软开关拓扑结构，马国伟博士举例说，针对电磁炉等软开关IHW30N160R2应用，结合沟槽栅、场中止技术的第三代逆向导通IGBT (RC3)，IHW30N160R2可同时减小Vcesat和Eoff，比起RC2的IGBT，软开关下减小15％，薄晶圆技术带来最低Vcesat，比RC2减小6.5％，而且二极管压降VF也很低。
IHW系列还有IHW15N120R2、IHW20N120R2、IHW25N120R2、IHW30N120R2、IHW40T120。