产品信息
供应英飞凌11A至60.0A IPW 600V CoolMOS系列
产品简介:
供应英飞凌11A至60.0A IPW 600V CoolMOS系列
厂家:英飞凌/Infineon
封装:TO-247
欢迎来电洽淡!
Infineon的内建横向电场的MOSFET,耐压600V和800V与常规MOSFET器件相比,相同的管芯面积,导通电阻分别下降到常规MOSFET的1/5和1/10;相同的额定电流,导通电阻分别下降到1/2和约1/3。在额定结温、额定电流条件下,导通压降分别从12.6V,19.1V下降到6.07V和7.5V;导通损耗下降到常规MOSFET的1/2和1/3。由于导通损耗的降低,发热减少,器件相对较凉,故称COOLMOS。
厂家:英飞凌/Infineon
封装:TO-247
欢迎来电洽淡!
| 型号 | 电流 | 电压 | 电阻 | 封装 |
| IPW60R299CP | 11.0A | 600V | 0.299 Ω | TO-247 |
| IPW60R250CP | 12.0A | 600V | 0.250 Ω | TO-247 |
| IPW60R199CP | 16.0A | 600V | 0.199 Ω | TO-247 |
| IPW60R165CP | 21.0A | 600V | 0.165 Ω | TO-247 |
| IPW60R125CP | 25.0A | 600V | 0.125 Ω | TO-247 |
| IPW60R099CP | 31.0A | 600V | 0.099 Ω | TO-247 |
| IPW60R075CP | 39.0A | 600V | 0.075 Ω | TO-247 |
| IPW60R045CP | 60.0A | 600V | 0.045 Ω | TO-247 |
飞凌科技系统应用工程部门主管吴荣辉表示,英飞凌的CoolMOS CP系列金属氧化层半导体场效电晶体(MOSFET)是针对中功率电源供应器中的功率因数校正(PFC)和脉衝宽度调变(PWM)电路而设计,具备600V电压阻隔能力,设计工程师可利用其极低开启状态电阻值和低闸电荷降低电源供应器的导通和开关切换损耗,在400V时的电容性损失可降低至25%。600V CoolMOS CP系列能达到约2.4Ωmm2特定区域的Figure of Merit(FOM),因此,CoolMOS CP设计可达到125mΩ至385mΩ的开启状态电阻值。
再者,英飞凌的CoolSET F3系列产品,在单一封装中结合了英飞凌CoolMOS MOSFET,与脉衝宽度调变控制IC。待机耗电量较其他同类产品少1/3,可协助切换式电源供应器(SMPS)製造厂商设计出更具成本效益、效率更佳的供电系统。CoolSET F3系列产品适用于DVD录放影机、平面显示器、数位动画摄影机、笔记型电脑等产品的电源转换器。
内建多项功能是CoolSET F3系列产品特色之一;主动的破裂模式,不仅展现待机时低耗电量的特性,对于负荷激增的突发状况也能有实时反应的机制;内建的“峰值功率限制”功能,使输出功率不受制于供电电压,由于大多数可携式设备的电源转换器电源输入范围是世界通用,该功能格外受到注目;CoolSET F3自我激活的起始电路不需要外在的降压电阻器(Dropping Resistor),明显缩短电源恢复(Power-Up)时间,可降低系统成本。
CoolMOS
Infineon的内建横向电场的MOSFET,耐压600V和800V与常规MOSFET器件相比,相同的管芯面积,导通电阻分别下降到常规MOSFET的1/5和1/10;相同的额定电流,导通电阻分别下降到1/2和约1/3。在额定结温、额定电流条件下,导通压降分别从12.6V,19.1V下降到6.07V和7.5V;导通损耗下降到常规MOSFET的1/2和1/3。由于导通损耗的降低,发热减少,器件相对较凉,故称COOLMOS。
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