供应SPA11N80C3 SPA17N80C3 SPP17N80C3 SPW17N80C3英飞凌800V CoolMOS
- 产品型号: SPA11N80C3,SPA17N80C3,SPP17N80C3,SPW17N80C3
- 供应方式:
- 参考价格:面议
- 产品品牌: 英飞凌
- 产品Tag:SPA11N80C3 SPA17N80C3 SPP17N80C3 SPW17N80C3
厂家:英飞凌
产地:德国
| 型号 | 参数Tc=25℃ | RDs(on) | 封装 |
| SPA11N80C3 | 11A/800V | 0.45欧姆 | TO-220F |
| SPA17N80C3 | 17A/800V | 0.29欧姆 | TO-220F |
| SPP17N80C3 | 17A/800V | 0.29欧姆 | TO-220 |
| SPW17N80C3 | 17A/800V | 0.29欧姆 | TO-247 |
SPA11N80C3特性:
晶体管类型:MOSFET
晶体管极性:N沟道
Voltage, Vds Typ:800V
电流, Id 连续:11A
开态电阻, Rds(on):0.45ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V
Voltage, Vgs th Typ:3V
封装类型:TO-220FP
表面安装器件:通孔安装
工作温度范围:-55°C to +150°C
Temperature, Tj Max:150°C
Temperature, Tj Min:-55°C
Transistors, No. of:1
Voltage, Vds:800V
Voltage, Vgs th Max:3.9V
功率, Pd:41W
功耗:41W
总功率, Ptot:41W
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:11A
电压, Vds 最大:800V
电流, Idm 脉冲:33A
针脚数:3
SPP17N80C3特性:
晶体管类型:MOSFET
晶体管极性:N沟道
Voltage, Vds Typ:800V
电流, Id 连续:17A
开态电阻, Rds(on):0.29ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V
Voltage, Vgs th Typ:3V
封装类型:TO-220
表面安装器件:通孔安装
工作温度范围:-55°C to +150°C
Temperature, Tj Max:150°C
Temperature, Tj Min:-55°C
Transistors, No. of:1
Voltage, Vds:800V
Voltage, Vgs th Max:3.9V
功率, Pd:208W
功耗:208W
总功率, Ptot:208W
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:17A
电压, Vds 最大:800V
电流, Idm 脉冲:51A
针脚数:3
英飞凌前身是原西门子半导体利用电荷补偿原理,突破了功率MOS器件的发展极限推出了COOLMOS,改写了1975年功率MOS
(VDMOS)发明以来,其导通电阻RDs(On)随器件耐压呈指数上升的历史,英飞凌COOLMOS的RDs(On)随耐压仅线性上升。英飞凌
COOLMOS是高压功率MOSFET最理想的功率半导体开关器件,主要特征是高压功率MOS其导通电阻大幅度降低。

