供应IKW25T120(K25T120)和IKW25N120T2英飞凌IGBT单管

型号:IKW25T120/K25T120
厂家:英飞凌
封装:TO-247
饱和压降:1.7V
硬开关频率<20KHZ
IKW25T120采用沟槽栅+电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术
硬开关频率fk<20KHZ,低饱和压降,参数离散性小,IKW25T120易于批量生产,正温度系数饱和压降,易于关联,具有类MOSFET特性,IKW25T120无锁定效应,过载能力强




 

型号:IKW25N120T2
厂家:英飞凌
封装:TO-247
饱和压降:1.7V
硬开关频率<50KHZ

IKW25N120T2特性:低损耗DuoPack IGBT4技术，含恢复快反平行二极管代，低饱和压降低,最大工作结温<175度 硬开关频率<50KHZ,低栅极电荷,无铅铅镀;符合RoHS标准,

  销售:杨小姐
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  销售:张先生
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