代理销售IHW30N120R2(h30r1202)英飞凌IGBT单管

型号:IHW30N120R2 (h30r1202)
厂家:INFINEON
封装:TO-247
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新型RC2-IGBT  IHW30N120R2 (h30r1202)的优势

来自英飞凌的新型RC2-IGBT系列产品是以成熟的TrenchStop技术为基础的，具有超低饱和压降。此外，IGBT还集成了一个功能强大且正向电压超低的二极管。 IHW30N120R2 (h30r1202)就是一个代表性产品

新型RC2-IGBT的优势是针对软开关应用(比如微波炉、电磁炉和感应加热型电饭煲)进行优化的定制解决方案。与以前的器件相比，RC2-IGBT可提升性能，降低饱和压降损耗。这可导致非常低的总体损耗，因此所需的散热器更小。另外一个优势是最大结温被提高到TvJ(max)=175℃，比普通IGBT芯片提高了25℃。这种结温已通过TO-247无铅封装的应用验证。

 

图1：应用TrenchStop技术的RC-IGBT

 

图2 ：RC-IGBT芯片IHW30N120R2 (h30r1202)前视图

 

 
图3：基于TrenchStop技术的最新一代RC2-IGBT的沟槽栅截面图(沟槽栅里的洞是为分析准备)

 

图4 ：IGBT和二极管晶圆厚度变化

在典型饱和压降Vce(sat)=1.6V@25℃/1.85V@175℃和典型正向电压Vf=1.25V@175℃(额定电流)的条件下，功率损(特别是软开关应用的导通损耗)可大幅度降低。由IHW20N120R2的下降时间的切线可看出高速度—tf=24ns@25℃和Rg=30Ω(44ns@175℃)。IHW30120R2在下降时间方面是最为出色的：tf=33ns@25℃，Rg=30Ω；tf=40ns@175℃。(在硬开关条件下测量，参见带有Eoff曲线的图6和图7)。

 

 
图5 ：来自英飞凌科技的最新一代RC2-IGBT(IHWxxN120R2，xx=15A、20A、25A和30A)。采用无铅电镀TO-247封装

 

图6 ： 在硬开关条件下，175℃结温以及室温下IHW30N120R2 (h30r1202)(IN=20A，Vces=1,200V)和IHW30N120R2(IN=30A)的下降时间切线

 

 
图7 ：在硬开关条件下，175℃结温以及室温下RC2-IGBT的Eoff曲线

图6显示如果栅极电阻低于30(，下降时间再度上升。这对于实现良好的EMI行为非常重要。所有市场上相关应用设计目前使用的栅极电阻都在10~20Ω之间。这个栅极电阻选用区域也是最低开关损耗区(见图7)。它具有最低的开关损耗和合适的EMI表现。

 

图8 ：室温和不同电流条件下IIHW30N120R2 (h30r1202)的饱和压降与Vf的关系

图7和图8显示了最新一代RC2-IGBT  IHW30N120R2 (h30r1202)的超低饱和压降Vce(sat)和正向电压Vf。图8显示了1,000片该器件在室温和不同电流条件下的最低和最高饱和压降的曲线图，图9显示了它们在不同温度和30A额定电流条件下的饱和压降曲线图。

 

图9 ：20A标称电流和不同温度下IHW20N120R2的饱和压降与Vf的关系

电压谐振电路里的RC-IGBT

图10显示了用于软开关应用的典型电压谐振电路。

 

图10 ：用于软开关应用的电压谐振电路图

对于190V~240V交流输入电压而言，RC-IGBT具有低饱和压降和正向电压：

1. 对于1.8kW的应用：IHW15N120R2(Vce=1,200V, Ic=15A@Tc=100℃)；

2. 对于2.0kW的应用：IHW20N120R2(Vce=1,200V, Ic=20A@Tc=100℃)；

3. 对于2.2kW的应用：IHW25N120R2(Vce=1,200V, Ic=25A@Tc=100℃)；

4. 对于2.4kW的应用：IHW30N120R2 (h30r1202)(Vce=1,200V, Ic=30A@Tc=100℃)。

为了测量IGBT的集电极电流Ice，应在发射极和地之间使用超低阻值的取样电阻器。图11为Vce和Ic的波形(搪瓷烧锅负载)。工作频率为29.1kHz，LC电路在谐振范围之外(电磁炉的温度模式为50℃)。

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