IHW30N160R2 IGBT单管英飞凌

产品信息

IHW30N160R2 IGBT单管英飞凌

产品型号： IHW30N160R2
供应方式：
参考价格：面议
产品品牌： 英飞凌
产品Tag：IGBT 单管

产品简介：

IHW30N160R2 IGBT单管
产品参数：30A/1600V单管.TO-247 封装

新到现货，欢迎来电洽淡！

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单管IHW30N160R2主要应用于电磁加热.电焊机.电源等等...
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同，只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。
IGBT 的工作特性：
静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制Ugs越高Id 越大。它与 GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区 1 、放大区 2 和击穿特性 3 部分。在截止状态下的IGBT 正向电压由 J2 结承担，反向电压由 J1 结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入 N+ 缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了 IGBT 的某些应用范围。IHW30N160R2在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为 MOSFET 关断后， PNP 晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间， td(off) 为关断延迟时间， trv 为电压 Uds(f) 的上升时间。
特点：功能强大的单片二极管体非常低正向电压车身二极管钳位负电压海沟和Fieldstop技术1600V的应用提供

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