IHW15N120R2 infineon(英飞凌)直供

产品信息

IHW15N120R2 infineon(英飞凌)直供

产品型号： IHW15N120R2
供应方式：
参考价格：面议
产品品牌： 英飞凌
产品Tag：IGBT 英飞凌 infineon

产品简介：

IHW15N120R2 infineon(英飞凌)直供
产品名称：IHW15N120R2
生产厂家：Infineon
封装形式：TO-247
包装规格：30pcs/管,240pcs/盒,2400PCS/箱
infineon(英飞凌)IHW15N120R2 属IGBT单管应用范围：电感加热、微波炉、电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源
我公司为更好服务广州周边地区的电磁炉工厂大量供应电磁炉配件--元器件.英飞凌IGBT
IHW15N120R2均为进口环保原装产品.可开增值税欢迎您随时来电洽谈。

如要了解更详细的参数及资料信息，请参看英飞凌这款IGBT的IHW15N120R2 PDF文档，这里详细的讲了开关如何应用,热变电阻、静态特征、动力特征、电感负载等参数。

Soft Switching Series

IHW15N120R2

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Conditions

Max. Value

Unit

Characteristic

IGBT thermal resistance, junction – case	R th J C	0.52	K/W
Diode thermal resistance, junction – case	R th J C D	0.47
Thermal resistance, junction – ambient	R th J A	40

Electrical Characteristic, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

min.

typ.

max.

Static Characteristic

Collector-emitter breakdown voltage	V (B R) CE S	V GE =0 V, I C =50 0 m A	1200	-	-	V
Collector-emitter saturation voltage	V CE (s a t )	V GE = 1 5 V, I C =1 5A T j =2 5 ° C T j = 125 ° C T j = 175 ° C	- - -	1.5 1.7 1.8	1.75 - -
Diode forward voltage	V F	V GE =0 V, I F =15A T j =2 5 ° C T j = 125 ° C T j = 175 ° C	- - -	1.45 1.55 1.6	1.65 - -
Gate-emitter threshold voltage	V GE (th )	I C =0 .4 m A , V CE = V GE	5.1	5.8	6.4
Zero gate voltage collector current	I CE S	V CE =1 200 V , V GE =0 V T j =2 5 ° C T j = 175 ° C	- -	- -	5 2500	µA
Gate-emitter leakage current	I GE S	V CE =0 V, V GE = 20V	-	-	100	nA
Transconductance	g fs	V CE =2 0V, I C =1 5A	-	11.7	-	S
Integrated gate resistor	R Gi n t			none		Ω

C-IGBT（反向传导）为共振应用（如感应烹饪）设置了全新的IGBT基准。该技术基于场止技术，甚至可以使 1200V 组件的 IGBT饱和电压降到 1.55V。使用反向传导技术，可以降低功率损耗，使之达到传统技术的水平。这些部件还配有单片体二极管，用于箝拉反向电流。另外，还提供大家熟知的 DuoPack™ IGBT，其配有优化的反向二极管。DuoPack™ IGBT 有600V、900V、1000V 和 1200V 几种。DuoPack™ 二极管的正向电压 VF最低达 1.1V。

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