仙童(FAIRCHILD) FQP12N60C / FQPF12N60C 600V的N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),采用飞兆半导体先进的DMOS技术,最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，能经受住了高能量脉冲雪崩。FQP12N60C / FQPF12N60C主要适用于高效开关电源，电子灯镇流器等。

 

仙童FQP12N60C / FQPF12N60C  MOSFET特点：
•12A, 600V, RDS(on) = 0.65Ω @VGS = 10 V

•低栅极电荷（典型值48 nC）
•低Crss（典型值21 pF）
•快速切换
•100％雪崩测试
•改进的dv / dt的能力

•封装：FQP12N60C：TO-220

         FQPF12N60C：TO-220F

•包装说明：50只/管；1K/盒

•符合RoHS标准

 

仙童FQP12N60C / FQPF12N60C MOSFET绝对最大额定值：  

Symbol	Parameter	FQP12N60C	FQPF12N60C	Unit
VDSS	Drain-Source Voltage	600		V
ID	Drain Current    - Continuous (TC = 25°C) - Continuous (TC = 100°C)	12 7.4	12* 7.4*	A A
IDM	Drain Current    - Pulsed                (Note 1)	48	48*	A
VGSS	Gate-Source  Voltage	±30		V
EAS	Single  Pulsed  Avalanche  Energy (Note 2)	870		mJ
IAR	Avalanche Current                      (Note 1)	12		A
EAR	Repetitive  Avalanche  Energy          (Note 1)	22.5		mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt              (Note 3)	4.5		V/ns
PD	Power Dissipation  (TC = 25°C) - Derate above 25°C	225 1.78	51 0.41	W W/°C
TJ, TSTG	Operating  and  Storage Temperature Range	-55 to +150		°C
TL	Maximum  lead  temperature for  soldering  purposes, 1/8”from case for 5 seconds	300		°C

仙童FQP12N60C / FQPF12N60C  MOSFET 引脚说明：

仙童FQP12N60C / FQPF12N60C 产品包装图：