产品信息
供应仙童TIP31C/TIP32C达林顿三极管
产品简介:
供应仙童TIP31C/TIP32C达林顿三极管
描述:NPN硅控電晶體
封装:TO-220
Pol NPN
Ic(max):3A
Pc(max):40W
Vceo(max):100V
hfe(min.-max.):10~50
原装仙童,欢迎大家来电洽淡!
描述:NPN硅控電晶體
封装:TO-220
Pol NPN
Ic(max):3A
Pc(max):40W
Vceo(max):100V
hfe(min.-max.):10~50
原装仙童,欢迎大家来电洽淡!
TIP31C极限值(Ta=25℃)(封装形式:TO-220)
Tstg——贮存温度 -55~150
℃Tj——结温 150℃PC——集电极功率耗散(Tc=25℃)⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ 40W PC——集电极功率耗散(Ta=25℃) 2W
VCBO——集电极—基极电压 100V
VCEO——集电极—发射极电压 100V
VEBO——发射极—基极电压 5V
IC——集电极电流(DC) 3A
IC——集电极电流(脉冲) 5A
IB——基极电流 1A
█ TIP31C电参数(Ta=25℃)(封装形式:TO-220)
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参数符号
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符 号 说 明
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最小值
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典型值
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最大值
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单 位
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测 试 条 件
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BVCEO(sus) ICEO
ICES IEBO hFE
VCE(sat) VBE(on) fT
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集电极—发射极维持电压*
集电极—发射极截止电流集电极—发射极截止电流发射极—基极截止电流直流电流增益*
集电极—发射极饱和电压* 基极—发射极导通电压* 特征频率
|
100
25
10
3.0
|
|
0.3
200
1
50
1.2
1.8
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V
mA
µA
mA
V V
MHz
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IC=30mA,IB=0
VCE=60V,IB=0
VCE=100V,VEB=0, VEB=5V,IC=0
VCE=4V,IC=1A VCE=4V,IC=3A IC=3A,IB=375mA VCE=4V,IC=3A VCE=10V,IC=0.5A,f=1MHz
|
*脉冲测试:脉宽≤300µs,占空比≤2%。
销售热线:
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